Fechar

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZGivnJVY/NeLCS
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/11.22.17.21   (acesso restrito)
Última Atualização2006:11.22.17.24.15 (UTC) marciana
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/11.22.17.21.39
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.17.06 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-14312-PRE/9400
ISSN0093-3813
Chave de CitaçãoRossiBarrUedaSilv:2006:4kCoMo
TítuloA 4-kV/2-A/5-kHz compact modulator for nitrogen plasma ion implantation
Ano2006
MêsOct
Data de Acesso21 maio 2024
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho326 KiB
2. Contextualização
Autor1 Rossi, José Osvaldo
2 Barroso, Joaquim José
3 Ueda, Mário
4 Silva, Graziela da
Identificador de Curriculo1 8JMKD3MGP5W/3C9JHJ5
2
3 8JMKD3MGP5W/3C9JHSB
Grupo1 LAP-INPE-MCT-BR
2 LAP-INPE-MCT-BR
3 LAP-INPE-MCT-BR
4 LAP-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Endereço de e-Mail do Autor1 rossi@plasma.inpe.br
RevistaIEEE Transactions on Plasma Science
Volume34
Número5
Páginas1757-1765
Histórico (UTC)2006-11-22 17:24:15 :: simone -> administrator ::
2008-06-10 22:43:59 :: administrator -> simone ::
2011-05-24 23:10:09 :: simone -> administrator ::
2014-04-16 17:25:23 :: administrator -> marciana :: 2006
2014-08-20 13:26:31 :: marciana -> administrator :: 2006
2018-06-05 01:17:06 :: administrator -> marciana :: 2006
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-Chavecompact pulser
dc converter
insulated-gate bipolar transistor (IGBT) switch
nitrogen plasma implantation
pulse transformer
surface treatment
KV
ResumoTo treat stainless-steel surfaces by nitrogen plasma implantation, a solid-state compact modulator was devised, in which a 8.0-mu F capacitor discharges through a forward converter composed of a low-blocking-voltage insulated-gate-bipolar-transistor switch (1.0 kV) and three step-up pulse transformers, rather than employing hard-tube devices such as in conventional plasma ion implantation pulsers, which are expensive and cumbersome. For this, a modulator was built to produce pulses with amplitudes of the order of 4 kV, duration of about 5.0 mu s, and rise time of similar to 1.0 mu s with maximum current/frequencies capabilities of 2.0 A and 5 kHz, respectively.
ÁreaFISPLASMA
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAP > A 4-kV/2-A/5-kHz compact...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo AlvoA 4kv2 a5 Khz.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
simone
Grupo de Leitoresadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher allowfinaldraft
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ET2RFS
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/bibdigital/2013/09.25.21.49 3
sid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.52.24 1
sid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.56.06 1
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX; IEEEXplore.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 


Fechar